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隨著電子技術的不斷發展，要求在越來越小的空間上安裝更多的器件，但遇到的最大問題是金屬的遷移問題尤其是銀離子遷移將會使相鄰導體之間的絕緣電阻下降漏電流增加，嚴重的甚至有短路、電弧介質擊穿現象發生。據文獻報道，金屬遷移是許多微電路發生災難性失效的主要原因之一“。它已成為電子產品邁向小型化、高集成化的一大難題。因此，如何克服銀系導電材料的遷移短路問題，或者提高其它復合導電材料導電性，克服銀離子遷移缺點是復合型導電材料的主要研究方向。

采用自制銀包銅粉作導電相制備低溫聚合物漿料。采用水滴法實驗對比銀粉、銀包銅粉為導電相制備的聚合物漿料的銀遷移過程，對遷移實驗前后陽極溶解、遷移生成物進行SEM、EDS和XRD分析測試，結果表明:銀包銅粉為導電相制備的聚合物導體漿料的抗銀遷移性能大大優于聚合物銀漿,銀包銅粉具有優異的抗銀遷移能力。